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“芯片的工作原理是将电路制造在半导体芯片表面上从而进行运算与处理的。
晶体管有开和关两种状态,分别用1和0表示,多个晶体管能够产生多个1和0信号,这种信号被设定为特定的功能来处理这些字母和图形等。
在加电后,芯片会产生一个启动指令,之后芯片就会开始启动,接着就会不断的被接受新的数据和指令来不断完成。
芯片是一种集成电路,由大量的晶体管构成。不同的芯片有不同的集成规模,大到几亿;小到几十、几百个晶体管。晶体管有两种状态,开和关,用1、0来表示。
晶体管的rbe是什么？搞不懂啊，求大神指点。
按照线路要求和工艺条件设计元件的图形和尺寸，并进行布局和布线，同时设计出一套光刻掩模版图形。
版图设计的第一步，是对既定线路按不同电位划分隔离区和确定元件之间的布线。然后，转入对元件的设计。双极型集成电路的元件包括晶体管、二极管、电阻和电容。其中 NPN晶体管的设计是核心。设计一个性能良好的集成电路，首先要设计出电学性能符合要求的晶体管，而晶体管的特性又是由其图形、尺寸和工艺条件所决定的。
在双极型集成电路中，常用的晶体管图形有5种，每一种图形各有其特殊作用（见）。这 5种图形是单基极条形、双基极条形、双基极、双集电极条形、基极马蹄形（并联扩展可设计成梳形结构)和发射极马蹄形。在版图设计中，往往在同一块版图中几种晶体管图形会同时出现，这是因为不同晶体管在电路中所起作用不同。双极型集成电路
双极型集成电路版图设计中常用的二极管，是与晶体管同时制成的。二极管可以利用单独一个基区扩散结；也可以先做成NPN晶体管结构，然后用一定方式连接成二极管。后者的基本连接方式有5种:①基极和集电极短接；②发射极和基极短接；③发射极开路；④发射极和集电极短接；⑤集电极开路。这5种连接法和单独一个基区扩散结共有6种不同的二极管。这6种形式的二极管因结构不同，特性也有差异，在应用中根据不同要求加以选择。
在双极型集成电路的版图设计中，电阻通常是随同晶体管的某一扩散工艺同时进行而制成扩散电阻的。原则上，不论发射区、基区和集电区（外延层)，都可以制作电阻。①基区硼扩散电阻:其薄层电阻值为 150～200欧/□左右，逻辑集成电路中的电阻值范围比较适中，而且温度系数也较小，一般为 1.9×10-3/。②发射区磷扩散电阻：其薄层电阻值为2～5欧/□，可用作低值电阻。但实际上常用作“磷桥”，代替内部金属连线遇到难以避免交叉时完成交越；③基区沟道电阻：这是利用基区扩散和发射区扩散形成的。因为薄层很薄，扩散杂质浓度也低，薄层电阻可高达5～20千欧/□。温度系数较高，一般为3～5×10-3/。这种电阻器又受到工作电压的限制，当反偏压升高时，PN结势垒区扩张，使沟道变得更薄，阻值变大；反之，偏压降低，阻值变小；④体电阻：外延层体电阻阻值很难控制，可用作高阻值电阻，其温度系数高，约为5×10-3/。
rbe是晶体管的交流输入电阻，输入电阻是从放大电路输入端看进去的等效电阻。
rbe是晶体管的交流输入电阻(动态)由三部份组成：
1.基极体积电阻rbb一般为数十至二三百欧；
2.发射极体积电阻很小一般忽略；
3，基极、发射极结电阻跟β与电流IE有关公式为：
β×26(mv)/I(ma)?∵rbe=rbb+β×(26mv)/(Ima)?26(mv)/I(ma)?(波尔兹曼常数)
扩展资料：
优越性
同电子管相比，晶体管具有诸多优越性：
构件没有消耗
无论多么优良的电子管，都将因阴极原子的变化和慢性漏气而逐渐劣化。由于技术上的原因，晶体管制作之初也存在同样的问题。随着材料制作上的进步以及多方面的改善，晶体管的寿命一般比电子管长100到1000倍，称得起永久性器件的美名。
消耗电能极少
仅为电子管的十分之一或几十分之一。它不像电子管那样需要加热灯丝以产生自由电子。一台晶体管收音机只要几节干电池就可以半年一年地听下去，这对电子管收音机来说，是难以做到的。
不需预热
一开机就工作。例如，晶体管收音机一开就响，晶体管电视机一开就很快出现画面。电子管设备就做不到这一点。开机后，非得等一会儿才听得到声音，看得到画面。显然，在军事、测量、记录等方面，晶体管是非常有优势的。
结实可靠
比电子管可靠100倍，耐冲击、耐振动，这都是电子管所无法比拟的。另外，晶体管的体积只有电子管的十分之一到百分之一，放热很少，可用于设计小型、复杂、可靠的电路。晶体管的制造工艺虽然精密，但工序简便，有利于提高元器件的安装密度。
百度百科-晶体管
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