晶体三极管工作在饱和区的工作条件是

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晶体三极管工作在饱和区的工作条件是介绍如下：

三极管进入饱和状态，其特征是发射结和集电结均处于正向偏置。对于共射电路，UBE》UON且 UCE《UBE。

此时IC不仅与IB有关，而且明显随UCE增大而增大，IC《IB。在实际电路中，如晶体管的UBE增大时，IB随之增大，但IC增大不多或基本不变，则说明晶体管进入饱和区。对于小功率管，可以认为当UCE=UBE，及UCB=0时，晶体管处于临界状态，及临界饱和和临界放大状态。

主要是根据两个pn结的偏置条件来决定：

发射结正偏，集电结反偏——放大状态；

发射结正偏，集电结也正偏——饱和状态；

发射结反偏，集电结也反偏——截止状态。

这些状态之间的转换，可以通过输入电压或者相应的输入电流来控制，例如：在放大状态时，随着输入电流的增大，当输出电流在负载电阻上的压降等于电源电压时，则电源电压就完全降落在负载电阻上，于是集电结就变成为0偏压，并进而变为正偏压——即由放大状态转变为饱和状态。

当输入电压反偏时，则发射结和集电结都成为了反偏，没有电流通过，即为截止状态。

正偏与反偏的区别：对于NPN晶体管，当发射极接电源正极、基极接负极时，则发射结是正偏，反之为反偏；当集电极接电源负极、基极（或发射极）接正极时，则集电结反偏，反之为正偏。总之，当p型半导体一边接正极、n型半导体一边接负极时，则为正偏，反之为反偏。

什么是“饱和失真、截止失真”？

下面我通过共射电路结合其输出特性曲线向你介绍下：

1?截止区

其特征是发射结电压小于开启电压Uon且集电结反向偏置，即对于共射电路Ube小于等于Uon且Uce大于Ube。此时Ib=0，而Ic小于等于Iceo因为Iceo常常小于几十微安。因此在近似分析中可以认为晶体管截止时的Ic约等于0.

2?放大区

其特征是发射结正向偏置，（Ube大于发射结开启电压Uon）且集电结反向偏置，即对于共射电路Ube大于Uon且Uce大于等于Ube。此时Ic几乎仅仅决定于Ib，而与Uce无关，表现出Ib对Ic的控制作用，Ic=βIb，ΔIc=βΔIb。在理想情况下，当Ib按等差变化时，输出特性是一族与横轴平行的等距离直线。

3?饱和区

其特征是发射结与集电结均处于正向偏置，即对于共射电路Ube大于Uon且Uce小于Ube。此时Ic不仅与Ib有关。而且明显随Uce增大而增大，Ic小于βIb。在实际电路中，若晶体管的Ube增大时，Ib随之增大，但Ic增大不多或基本不变，则说明晶体管进入饱和区。对于小功率管，可以认为当Uce=Ube，即Uce=0时，晶体管处于临界状态，即临界饱和或临界放大状态。

4?建议你看下《模拟电子技术基础》第三版?清华大学高教版?童诗白?华成英?第一章很详细的介绍了这部分。没有书可以去图书馆借下看看！

饱和失真和截止失真，是指信号范围超出晶体管放大电路正常放大范围时，出现的信号波形畸变。由产生畸变的原因不同分为饱和失真和截止失真。

晶体管有三个工作区：饱和区、截止区和线性区（放大区）。在饱和区和截止区晶体管会失去放大能力。

对于共发射极的晶体管基本放大电路，当输入的峰值较大的时候，超过了晶体管电路的动态范围，进入饱和或截止区，就会出现失真。进入饱和区引起的失真就是饱和失真；进入截止区引起的失真就是截止失真。

下图是共发射极的晶体管单级基本放大电路的失真示意。

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